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Rambus新技术：0.5纳秒极速内存开关

【世界机械网】时间：2011-06-22　来源：本站整理　【收藏本页】

　　　Rambus声名狼藉，不过在技术方面的确是有自己的一套。在东京召开的2011年超大规模集成电路讨论会上，Rambus就宣布了一种突破性的快速加电、低功耗时钟技术，有望为内存设备带来全新的面貌。配合40nm低功耗CMOS工艺，这种新技术能够让内存在0.5纳秒的时间内完成从零功耗待机状态到每个差分链接5+Gbps高速数据传输工作状态的转换，同时运行功耗仅仅2.4mW/Gb/s，也就是说全速工作的时候每秒也不过12mW。

　　为了改进服务器和移动系统的能效，人们一直在寻求降低内存子系统功耗的方法。服务器应用中面临的主要挑战是需要快速切入和切出最低功耗状态，而移动系统虽然支持多种电源状态，但是低功耗运行通常需要复杂的电源状态电路来配合完成。

　　　Rambus声称，他们研发的新技术能够避免这些弊端，实现内存子系统极快速地开关，而且可与SoC与内存界面、SoC与SoC连接相整合，从而缩短访问延迟、简化系统设计、降低整体系统功耗。

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